IMW65R027M1HXKSA1

Infineon Technologies
726-IMW65R027M1HXKSA
IMW65R027M1HXKSA1

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

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产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
47 A
34 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
62 nC
- 55 C
+ 150 C
189 W
Enhancement
CoolSiC
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 14.2 ns
封装: Tube
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 13.6 ns
系列: IMW65R027
工厂包装数量: 240
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 22.7 ns
典型接通延迟时间: 24.4 ns
零件号别名: IMW65R027M1H SP005398440
单位重量: 6 g
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合规代码
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
奥地利
组装原产国/地区:
中国
扩散国家:
奥地利
发货时，国家/地区可能会发生变化。

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