IPB095N20NM6ATMA1

Name: Infineon IPB095N20NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPB095N20NM6ATMA
Price: 45.46 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

726-IPB095N20NM6ATMA

制造商编号：

IPB095N20NM6ATMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

寿命周期:

新产品:

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数据表:

IPB095N20NM6ATMA1 数据表 (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PG-TO263-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	200 V
Id-连续漏极电流:	116 A
Rds On-漏源导通电阻:	8.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.5 V
Qg-栅极电荷:	53 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	300 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	OptiMOS
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	11 ns
正向跨导 - 最小值:	23 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	30 ns
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	28 ns
典型接通延迟时间:	15 ns
零件号别名:	IPB095N20NM6 SP006070075

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 奥地利
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 奥地利

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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