IPI086N10N3 G

Name: Infineon IPI086N10N3 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPI086N10N3G
Price: 18.67 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

726-IPI086N10N3G

制造商编号：

IPI086N10N3 G

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET N-Ch 100V 80A I2PAK-3 OptiMOS 3

数据表:

IPI086N10N3 G 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-262-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	80 A
Rds On-漏源导通电阻:	8.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.7 V
Qg-栅极电荷:	55 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	125 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	OptiMOS
封装:	Tube
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	8 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	42 ns
系列:	OptiMOS 3
工厂包装数量:	500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	31 ns
典型接通延迟时间:	18 ns
零件号别名:	SP000683070 IPI86N1N3GXK IPI086N10N3GXKSA1
单位重量:	2.387 g

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数据表

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Product Catalogs

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 马来西亚

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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