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IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1

Name: Infineon IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IQEH50NE2LM7UCGS
Price: 32.06 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

726-IQEH50NE2LM7UCGS

制造商编号：

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	25 V
Id-连续漏极电流:	298 A
Rds On-漏源导通电阻:	500 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	16 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	27 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	150 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	OptiMOS
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	4.4 ns
正向跨导 - 最小值:	110 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	2 ns
系列:	OptiMOS 7
工厂包装数量:	6000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	29 ns
典型接通延迟时间:	7 ns
零件号别名:	IQEH50NE2LM7UCGSC SP006055383

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数据表

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 数据表 (PDF)

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 奥地利
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 奥地利

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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最少： 1 倍数： 1

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¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥36.2278	¥36.23
	¥18.532	¥185.32
	¥16.7918	¥1,679.18
	¥14.1476	¥7,073.80
	¥13.6504	¥34,126.00
整卷卷轴（请按6000的倍数订购）
	¥13.3227	¥79,936.20

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1

制造商： Infineon Technologies

说明： MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

规格

文件 (1)

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