IS42S16320F-6TLI

ISSI
870-42S16320F6TLI
IS42S16320F-6TLI

制造商:

说明:
动态随机存取存储器 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 32Mx16, 166MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS, IT

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

库存量: 620

库存:
620 可立即发货
生产周期:
8 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1   最多: 265
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥120.9326 ¥120.93
¥112.4124 ¥1,124.12
¥108.932 ¥2,723.30
¥106.2878 ¥5,314.39
¥103.7227 ¥11,202.05

产品属性 属性值 选择属性
ISSI
产品种类: 动态随机存取存储器
RoHS:  
SDRAM
512 Mbit
16 bit
167 MHz
TSOP-II-54
32 M x 16
6 ns
3 V
3.6 V
- 40 C
+ 85 C
IS42S16320F
商标: ISSI
湿度敏感性: Yes
安装风格: SMD/SMT
产品类型: DRAM
工厂包装数量: 108
子类别: Memory & Data Storage
电源电流—最大值: 120 mA
单位重量: 541 mg
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320028
JPHTS:
854232021
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM

ISSI 3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM provides a wide selection of SDR SDRAM with densities from 16Mbit to 512Mbit in 1Mx16, 4Mx16, and 8Mx16 organizations. Each device features a single supply voltage (3.3V +/-0.3V), standard SDRAM clock timing, LVTTL compatible inputs, programmable burst length of 1, 2, 4, 8, or full page, auto-refresh and self-refresh modes. ISSI 3.3V SDR Synchronous DRAM has a programmable CAS latency of 2 or 3. Typical applications for these devices include wireless access points, base stations, routers, network storage, energy management, industrial controls, car infotainment, and automotive telematics.