IS42S86400F-6TLI

ISSI
870-42S86400F6TLI
IS42S86400F-6TLI

制造商:

说明:
动态随机存取存储器 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 64Mx8, 166Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT

ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
ISSI
产品种类: 动态随机存取存储器
RoHS:  
SDRAM
512 Mbit
8 bit
167 MHz
TSOP-II-54
64 M x 8
6 ns
3 V
3.6 V
- 40 C
+ 85 C
IS42S86400F
Reel
商标: ISSI
湿度敏感性: Yes
安装风格: SMD/SMT
产品类型: DRAM
工厂包装数量: 108
子类别: Memory & Data Storage
电源电流—最大值: 180 mA
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已选择的属性: 0

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合规代码
CNHTS:
8542320000
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320028
JPHTS:
854232021
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
中国台湾
发货时,国家/地区可能会发生变化。

3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM

ISSI 3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM provides a wide selection of SDR SDRAM with densities from 16Mbit to 512Mbit in 1Mx16, 4Mx16, and 8Mx16 organizations. Each device features a single supply voltage (3.3V +/-0.3V), standard SDRAM clock timing, LVTTL compatible inputs, programmable burst length of 1, 2, 4, 8, or full page, auto-refresh and self-refresh modes. ISSI 3.3V SDR Synchronous DRAM has a programmable CAS latency of 2 or 3. Typical applications for these devices include wireless access points, base stations, routers, network storage, energy management, industrial controls, car infotainment, and automotive telematics.

库存量: 194

库存:
194 可立即发货
生产周期:
52 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥146.7418 ¥146.74
¥136.0633 ¥1,360.63
¥131.8484 ¥3,296.21
¥125.5656 ¥6,278.28
¥122.5033 ¥13,230.36