IS66WVE2M16EBLL-70BLI

Name: ISSI IS66WVE2M16EBLL-70BLI
Brand: ISSI
SKU: 870-66E2M16EBLL70BLI
Price: 46.56 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

870-66E2M16EBLL70BLI

制造商编号：

IS66WVE2M16EBLL-70BLI

制造商：

ISSI

说明：

静态随机存取存储器 32Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

数据表:

IS66WVE2M16EBLL-70BLI 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ISSI
产品种类:	静态随机存取存储器
RoHS:
存储容量:	32 Mbit
组织:	2 M x 16
访问时间:	70 ns
接口类型:	Parallel
电源电压-最大:	3.6 V
电源电压-最小:	2.7 V
电源电流—最大值:	30 mA
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 85 C
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TFBGA-48
商标:	ISSI
存储类型:	SDR
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	SRAM
系列:	IS66WVE2M16EBLL
工厂包装数量:	480
子类别:	Memory & Data Storage
类型:	Asynchronous
单位重量:	86 mg

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合规代码

CNHTS:: 8542329000
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
JPHTS:: 854232021
KRHTS:: 8542321010
TARIC:: 8542324500
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国台湾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 中国台湾

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.