IS66WVO8M8FALL-200BLI

Name: ISSI IS66WVO8M8FALL-200BLI
Brand: ISSI
SKU: 870-WVO8M8FALL200BLI
Price: 51.75 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

870-WVO8M8FALL200BLI

制造商编号：

IS66WVO8M8FALL-200BLI

制造商：

ISSI

说明：

动态随机存取存储器 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS

数据表:

IS66WVO8M8FALL-200BLI 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ISSI
产品种类:	动态随机存取存储器
RoHS:
类型:	PSRAM (Pseudo SRAM)
存储容量:	64 Mbit
数据总线宽度:	8 bit
最大时钟频率:	200 MHz
封装 / 箱体:	TFBGA-24
组织:	8 M x 8
访问时间:	5 ns
电源电压-最小:	1.7 V
电源电压-最大:	1.95 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 85 C
商标:	ISSI
湿度敏感性:	Yes
安装风格:	SMD/SMT
产品类型:	DRAM
工厂包装数量:	480
子类别:	Memory & Data Storage
电源电流—最大值:	20 mA

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合规代码

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国台湾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 中国台湾

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.