IXSA40N65L2-7TR

Name: IXYS IXSA40N65L2-7TR
Brand: IXYS
SKU: 747-IXSA40N65L2-7TR
Price: 53.88 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

747-IXSA40N65L2-7TR

制造商编号：

IXSA40N65L2-7TR

制造商：

IXYS

说明：

碳化硅MOSFET SiC MOSFET in TO263-7L

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

IXSA40N65L2-7TR 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解IXYS IXSA40N65L2-7TR详情

库存量: 900

库存：: 900 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 27 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按800的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥60.8844	¥60.88
	¥43.0078	¥430.08
	¥35.821	¥3,582.10
	¥31.9338	¥15,966.90
整卷卷轴（请按800的倍数订购）
	¥28.3743	¥22,699.44

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-263-7
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	43 A
Rds On-漏源导通电阻:	78 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 5 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.5 V
Qg-栅极电荷:	64 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	174 W
通道模式:	Enhancement
商标:	IXYS
配置:	Single
下降时间:	9.2 ns
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
产品:	SiC MOSFETS
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	11.2 ns
系列:	IXSxNxL2Kx
工厂包装数量:	800
子类别:	Transistors
技术:	SiC
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	13.1 ns
典型接通延迟时间:	5 ns

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

IXSA40N65L2-7TR 数据表 (PDF)

此功能要求启用JavaScript。

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IXSxNxL2Kx碳化硅 (SiC) MOSFET

IXYS IXSxNxL2Kx碳化矽（SiC）MOSFET的高阻断电压与低导通电阻[_RDS(ON)]相结合。导通电阻在25mΩ和160mΩ之间，漏极连续电流（I_D）在20A和111A之间。这些器件具有高速开关特性、低电容，并具有超快速的内在二极管。这些器件的漏-源电压（V_DSS）额定值为650V或1200V。IXYS IXSxNxL2Kx碳化硅 (SiC) MOSFET采用三种封装（TO-263-7L、TOLL-8和TO-247-4L）供货。