IXSH20N120L2KHV

IXYS
747-IXSH20N120L2KHV
IXSH20N120L2KHV

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L

寿命周期:
新产品:
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库存量: 550

库存：
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27 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥48.7143 ¥48.71
¥36.8041 ¥368.04
¥29.7755 ¥2,977.55
¥26.3855 ¥11,873.48
¥22.5774 ¥20,319.66

产品属性 属性值 选择属性
IXYS
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
20 A
208 mOhms
- 5 V, 20 V
4.5 V
29 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
商标: IXYS
配置: Single
下降时间: 10.4 ns
封装: Tube
产品: SiC MOSFETS
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 10.8 ns
系列: IXSxNxL2Kx
工厂包装数量: 450
子类别: Transistors
技术: SiC
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 8.4 ns
典型接通延迟时间: 2.8 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

IXSxNxL2Kx碳化硅 (SiC) MOSFET

IXYS IXSxNxL2Kx碳化矽（SiC）MOSFET的高阻断电压与低导通电阻[RDS(ON)]相结合。导通电阻在25mΩ和160mΩ之间，漏极连续电流（ID）在20A和111A之间。这些器件具有高速开关特性、低电容，并具有超快速的内在二极管。这些器件的漏-源电压（VDSS）额定值为650V或1200V。IXYS IXSxNxL2Kx碳化硅 (SiC) MOSFET采用三种封装（TO-263-7L、TOLL-8和TO-247-4L）供货。

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