IXXH50N60C3D1

Name: IXYS IXXH50N60C3D1
Brand: IXYS
SKU: 747-IXXH50N60C3D1
Price: 83.74 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

747-IXXH50N60C3D1

制造商编号：

IXXH50N60C3D1

制造商：

IXYS

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT IGBT C3-Class 600V/100Amp CoPacked

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制造商:	IXYS
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-247AD
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	600 V
集电极—射极饱和电压:	2.3 V
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:	100 A
Pd-功率耗散:	600 W
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
系列:	IXXH50N60
封装:	Tube
商标:	IXYS
栅极—射极漏泄电流:	100 nA
产品类型:	IGBTs
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
商标名:	XPT
单位重量:	6.500 g

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Discrete 600V XPT IGBTs

IXYS Discrete 600V XPT Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) are highly rugged, low loss semiconductor devices that are easily configured in parallel. Developed using IXYS' extreme light punch through (XPT) design platform, these new devices feature excellent electrical characteristics which include low typical Vcesat, low typical current fall times, and low typical turn-off energy per pulse values.