IXXK100N60C3H1

Name: IXYS IXXK100N60C3H1
Brand: IXYS
SKU: 747-IXXK100N60C3H1
Price: 211.69 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

747-IXXK100N60C3H1

制造商编号：

IXXK100N60C3H1

制造商：

IXYS

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT IGBT C3-Class 600V/170Amp CoPacked

数据表:

IXXK100N60C3H1 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-264
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	600 V
集电极—射极饱和电压:	2.2 V
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:	170 A
Pd-功率耗散:	695 W
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
系列:	IXXK100N60
封装:	Tube
商标:	IXYS
栅极—射极漏泄电流:	100 nA
产品类型:	IGBT Transistors
工厂包装数量:	25
子类别:	IGBTs
商标名:	XPT
单位重量:	10 g

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Discrete 600V XPT IGBTs

IXYS Discrete 600V XPT Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) are highly rugged, low loss semiconductor devices that are easily configured in parallel. Developed using IXYS' extreme light punch through (XPT) design platform, these new devices feature excellent electrical characteristics which include low typical Vcesat, low typical current fall times, and low typical turn-off energy per pulse values.