IXYH120N65A5

Name: IXYS IXYH120N65A5
Brand: IXYS
SKU: 747-IXYH120N65A5
Price: 97.58 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

747-IXYH120N65A5

制造商编号：

IXYH120N65A5

制造商：

IXYS

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO247

数据表:

IXYH120N65A5 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-247-3
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	650 V
集电极—射极饱和电压:	1.35 V
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:	290 A
Pd-功率耗散:	830 W
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
封装:	Tube
商标:	IXYS
集电极最大连续电流 Ic:	790 A
栅极—射极漏泄电流:	100 nA
产品类型:	IGBT Transistors
工厂包装数量:	30
子类别:	IGBTs
商标名:	XPT

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数据表

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合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 韩国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

XPT™ GenX5™沟槽式IGBT

IXYS XPT™ GenX5™沟槽式IGBT采用专有的XPT薄景园技术和先进的第5代 (GenX5) 沟槽式IGBT工艺研发而成。这些器件具有低热阻、低能耗、快速开关、低拖尾电流和高电流密度等特性。 XPT GenX5沟槽式IGBT具有方形反向偏置安全工作区 (RBSOA)，击穿电压高达650V，因此非常适合用于无缓冲硬开关应用。这些IGBT还包括一个正集电极-发射极电压温度系数，使设计人员能够并联使用多个器件，满足大电流要求。这些器件的栅极电荷低，有助于降低栅极驱动要求和开关损耗。

650V XPT™ High Speed Trench IGBTs

IXYS 650V XPT™ High Speed Trench IGBTs are designed to minimize conduction and switching losses, especially in hard-switching applications. IXYS 650V XPT High Speed Trench IGBTs are optimized for different switching speed ranges (up to 60kHz). Devices co-packed with IXYS ultra-fast Sonic-FRD™ diodes are also available. The current ratings of devices in this product family range from 30A to 200A at a high temperature of +110°C. These devices feature reduced thermal resistance, low energy losses, fast switching, low tail current, and high current densities. In addition, they display exceptional ruggedness under short-circuit conditions - a 10μs Short Circuit Safe Operating Area (SCSOA).