KTDM4G4B626BGCEAT

Name: SMART KTDM4G4B626BGCEAT
Brand: SMARTsemi
SKU: 473-M4G4B626BGCEAT
Price: 243.46 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

473-M4G4B626BGCEAT

制造商编号：

KTDM4G4B626BGCEAT

制造商：

SMARTsemi

说明：

动态随机存取存储器动态随机存取存储器 DDR4 4GB 256MX16 2666Mbps 1.2V 96-FBGA Commercial

数据表:

KTDM4G4B626BGCEAT 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解SMARTsemi KTDM4G4B626BGCEAT详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	SMART
产品种类:	动态随机存取存储器
RoHS:
类型:	SDRAM - DDR4
存储容量:	4 Gbit
数据总线宽度:	16 bit
最大时钟频率:	1.333 GHz
封装 / 箱体:	FBGA-96
组织:	256 M x 16
电源电压-最小:	1.14 V
电源电压-最大:	1.26 V
最小工作温度:	0 C
最大工作温度:	+ 85 C
系列:	KTDM
封装:	Tray
商标:	SMARTsemi
湿度敏感性:	Yes
安装风格:	SMD/SMT
产品类型:	DRAM
工厂包装数量:	198
子类别:	Memory & Data Storage

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

KTDM4G4B626BGCEAT 数据表 (PDF)

合规代码

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国台湾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

DDR4 Memory ICs

SMARTsemi DDR4 Memory ICs feature a power supply (JEDEC standard 1.2V) of V_DD = 1.2V ± 5%, and V_PP = 2.375V to 2.75V. The ICs have up to 8 banks (4 banks x 2 bank groups) for x 16 products. The DDR4 feature a Pseudo Open Drain (POD) interface with a Burst Length (BL) of 8 and 4 with Burst Chop (BC).