KTDM4G4B826BGCEAT

Name: SMART KTDM4G4B826BGCEAT
Brand: SMARTsemi
SKU: 473-M4G4B826BGCEAT
Price: 80.15 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

473-M4G4B826BGCEAT

制造商编号：

KTDM4G4B826BGCEAT

制造商：

SMARTsemi

说明：

动态随机存取存储器动态随机存取存储器 DDR4 4GB 512MX8 2666Mbps 1.2V 78-FBGA Commercial

数据表:

KTDM4G4B826BGCEAT 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	SMART
产品种类:	动态随机存取存储器
RoHS:
类型:	SDRAM - DDR4
存储容量:	4 Gbit
数据总线宽度:	8 bit
最大时钟频率:	1.333 GHz
封装 / 箱体:	FBGA-78
组织:	512 M x 8
电源电压-最小:	1.14 V
电源电压-最大:	1.26 V
最小工作温度:	0 C
最大工作温度:	+ 85 C
系列:	KTDM
封装:	Tray
商标:	SMARTsemi
湿度敏感性:	Yes
安装风格:	SMD/SMT
产品类型:	DRAM
工厂包装数量:	210
子类别:	Memory & Data Storage

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国台湾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

DDR4 Memory ICs

SMARTsemi DDR4 Memory ICs feature a power supply (JEDEC standard 1.2V) of V_DD = 1.2V ± 5%, and V_PP = 2.375V to 2.75V. The ICs have up to 8 banks (4 banks x 2 bank groups) for x 16 products. The DDR4 feature a Pseudo Open Drain (POD) interface with a Burst Length (BL) of 8 and 4 with Burst Chop (BC).