LF2113BTR

Name: IXYS LF2113BTR
Brand: IXYS Integrated Circuits
SKU: 747-LF2113BTR
Price: 11.42 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

747-LF2113BTR

制造商编号：

LF2113BTR

制造商：

IXYS Integrated Circuits

说明：

栅极驱动器 HI LO Side DRVR 600V 2A SOIC-16

数据表:

LF2113BTR 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	栅极驱动器
RoHS:
产品:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
类型:	High-Side, Low-Side
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOIC-16
激励器数量:	2 Driver
输出端数量:	2 Output
电源电压-最小:	10 V
电源电压-最大:	20 V
上升时间:	15 ns
下降时间:	13 ns
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 125 C
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	IXYS Integrated Circuits
逻辑类型:	CMOS
最大关闭延迟时间:	94 ns
最大开启延迟时间:	105 ns
湿度敏感性:	Yes
工作电源电流:	56 uA
Pd-功率耗散:	1.25 W
产品类型:	Gate Drivers
传播延迟—最大值:	20 ns
工厂包装数量:	1500
子类别:	PMIC - Power Management ICs
技术:	Si

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
TARIC:: 8542399000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

高侧与低侧栅极驱动器IC

IXYS高侧与低侧栅极驱动器IC具有600mA/290mA至4.5A/4.5A灌/拉输出电流能力。该器件具有10V至20V宽工作电压范围。保护特性包括欠压闭锁 (UVLO) 和击穿保护。IXYS高侧和低侧栅极驱动器IC的工作温度范围为-40°C至+125°C，采用SOIC-8、-14、-16行业标准封装和引脚分配。

N通道MOSFET和IGBT栅极驱动器

IXYS N通道MOSFET和IGBT栅极驱动器包括高压高速栅极驱动器和三相栅极驱动器IC。这些设备设计用于驱动半桥配置或高压侧/低压侧配置的两个N通道MOSFET或IGBT。高压技术能够实现高压侧在全推力运转期间切换到600V。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲器，用于最大限度地减少驱动器交叉传导。其他功能包括3.3V逻辑输入能力，施密特触发逻辑输入和欠压锁定(UVLO)保护。IXYS N通道MOSFET和IGBT栅极驱动器具有-40°C至+125°C扩展工作温度范围。