MR25H128ACDFR

Everspin Technologies
936-MR25H128ACDFR
MR25H128ACDFR

制造商：

说明：
磁阻随机存取存储器 (MRAM) 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI

数据表:
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供货情况

库存：
无库存
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27 周 预计工厂生产时间。
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最少： 4000   倍数： 4000
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
整卷卷轴（请按4000的倍数订购）
¥39.2901 ¥157,160.40

备用包装

制造商零件编号:
MR25H128ACDF
包装:
Tray
供货情况:
库存量
单价:
¥46.3187
最小:
1

产品属性 属性值 选择属性
Everspin Technologies
产品种类: 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
RoHS:  
DFN-8
SPI
128 kbit
16 k x 8
8 bit
2.7 V
3.6 V
6 mA, 23 mA
- 40 C
+ 85 C
MR25H128A
Reel
商标: Everspin Technologies
湿度敏感性: Yes
安装风格: SMD/SMT
Pd-功率耗散: 600 mW
产品类型: MRAM
工厂包装数量: 4000
子类别: Memory & Data Storage
商标名: Serial I/O (SPI)
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已选择的属性: 0

数据表

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CNHTS:
8542320000
CAHTS:
8542320090
USHTS:
8542320071
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99

MR25Hxx Serial SPI MRAMs

Everspin Technologies MR25Hxx Serial SPI MRAMs offer serial EEPROM and serial Flash compatible read/write timing with no write delays and unlimited read/write endurance. Unlike other serial memories, both reads and writes can occur randomly in memory with no delay between writes. 

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.

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