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MR2A08AMYS35

Name: Everspin Technologies MR2A08AMYS35
Brand: Everspin Technologies
SKU: 936-MR2A08AMYS35
Price: 384.01 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

936-MR2A08AMYS35

制造商编号：

MR2A08AMYS35

制造商：

Everspin Technologies

说明：

磁阻随机存取存储器 (MRAM) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM)

数据表:

MR2A08AMYS35 数据表 (PDF)

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	¥433.9313	¥433.93
	¥401.0031	¥4,010.03
	¥389.5901	¥9,739.75
540	报价

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Everspin Technologies
产品种类:	磁阻随机存取存储器 (MRAM)
RoHS:
封装 / 箱体:	TSOP-II-44
接口类型:	Parallel
存储容量:	4 Mbit
组织:	512 k x 8
数据总线宽度:	8 bit
访问时间:	35 ns
电源电压-最小:	3 V
电源电压-最大:	3.6 V
工作电源电流:	30 mA, 90 mA
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 125 C
系列:	MR2A08A
封装:	Tray
商标:	Everspin Technologies
湿度敏感性:	Yes
安装风格:	SMD/SMT
Pd-功率耗散:	600 mW
产品类型:	MRAM
工厂包装数量:	135
子类别:	Memory & Data Storage
商标名:	Parallel I/O (x8)

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数据表

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ECCN:: EAR99

MR2A08A & MR2A16A 4Mb Parallel MRAM

Everspin Technologies MR2A08A and MR2A16A 4Mb Parallel MRAM devices offer SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The MR2A08A series products are 4,194,304-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) devices organized as 524,288 words of 8 bits.

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.