免费电话: 400-821-6111

TTI Family of Specialists旗下成员联系Mouser (上海) 免费电话: 400-821-6111 反馈

更改位置

中文

¥ RMB

库存量

RoHS

制造商	制造商编号：	数量	总价（含13%增值税）

查看购物车

您似乎禁用了您浏览器中的JavaScript功能。本网页上的某些功能需要登录后才能使用。

返回至搜索结果

看到错误？

MR4A08BYS35

Name: Everspin Technologies MR4A08BYS35
Brand: Everspin Technologies
SKU: 936-MR4A08BYS35
Price: 319.59 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

936-MR4A08BYS35

制造商编号：

MR4A08BYS35

制造商：

Everspin Technologies

说明：

磁阻随机存取存储器 (MRAM) 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM)

数据表:

MR4A08BYS35 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Everspin Technologies MR4A08BYS35详情

库存量: 401

库存：: 401 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 27 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥361.1367	¥361.14
	¥333.8472	¥3,338.47
	¥324.3326	¥8,108.32
540	报价

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Everspin Technologies
产品种类:	磁阻随机存取存储器 (MRAM)
RoHS:
封装 / 箱体:	TSOP-II-44
接口类型:	Parallel
存储容量:	16 Mbit
组织:	2 M x 8
数据总线宽度:	8 bit
访问时间:	35 ns
电源电压-最小:	3 V
电源电压-最大:	3.6 V
工作电源电流:	60 mA, 152 mA
最小工作温度:	0 C
最大工作温度:	+ 70 C
系列:	MR4A08B
封装:	Tray
商标:	Everspin Technologies
湿度敏感性:	Yes
安装风格:	SMD/SMT
Pd-功率耗散:	600 mW
产品类型:	MRAM
工厂包装数量:	135
子类别:	Memory & Data Storage
商标名:	Parallel I/O (x8)
单位重量:	12.083 g

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

MR4A08BYS35 数据表 (PDF)

PCN

Alternative Format for Trace Codes (PDF)

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:: 8542329090
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
JPHTS:: 8542320312
KRHTS:: 8542321040
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

MR4A08B & MR4A16B 16Mb Parallel MRAMs

Everspin Technologies MR4A08B and MR4A16B 16Mb Parallel MRAM devices provide SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The Everspin Technologies MR4A08B is a 16,777,216-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) device organized as 2,097,152 words of 8 bits.

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.