MSCSM120AM31CTBL1NG

Microchip Technology
579-SM120AM31CTBL1NG
MSCSM120AM31CTBL1NG

制造商：

说明：
分立半导体模块 PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1

数据表:
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库存量: 6

库存：
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生产周期：
20 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于6的订购须受最低订购要求的限制。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥989.6992 ¥989.70
¥982.083 ¥9,820.83
¥977.45 ¥97,745.00
250 报价

产品属性 属性值 选择属性
Microchip
产品种类: 分立半导体模块
RoHS:  
MOSFET-SiC SBD Modules
MOSFET / SiC SBD
SiC
1.5 V
1.2 kV
- 10 V, + 25 V
Screw Mount
- 55 C
+ 175 C
商标: Microchip Technology
配置: Phase Leg
下降时间: 25 ns
Id-连续漏极电流: 79 A
Pd-功率耗散: 310 W
产品类型: Discrete Semiconductor Modules
Rds On-漏源导通电阻: 31 mOhms
上升时间: 30 ns
工厂包装数量: 1
子类别: Discrete Semiconductor Modules
晶体管极性: N-Channel
典型关闭延迟时间: 50 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

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USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

MSCSM120x MOSFET电源模块

Microchip Technology MSCSM 120 x MOSFET电源模块是高效转换器，采用厚铜Si3N4 基板，可提高散热性能。这些模块采用薄型设计，可直接安装到散热片（隔离式封装）、内部热敏电阻（用于温度监控）以及扩展温度范围。MSCSM120x模块的反向工作电压 (VR) 为1.2kV，栅极-源极电压范围 (VGS) 为-10V至25V，功率耗散 (Pd) 为310W/560W，连续漏极电流 (Id) 为 79A/150A。该系列模块适用于高可靠性 电源系统、高效交流/直流和直流/交流转换器、电机控制以及交流开关等应用。

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