NID5100GW-Q100H

Nexperia
771-NID5100GW-Q100H
NID5100GW-Q100H

制造商：

说明：
热交换电压控制器 NID5100GW-Q100/SOT363/SC-88

数据表:
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Nexperia
产品种类: 热交换电压控制器
RoHS:  
Diode Controllers
5.5 V
1.2 V
- 40 C
+ 125 C
SMD/SMT
TSSOP-6
商标: Nexperia
产品类型: Hot Swap Voltage Controllers
系列: NID5100
工厂包装数量: 3000
子类别: PMIC - Power Management ICs
零件号别名: 935691945125
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数据表

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合规代码
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
马来西亚
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
中国台湾
发货时，国家/地区可能会发生变化。

NID5100理想二极管

Nexperia NID5100理想二极管设计用于无法容忍传统肖特基元件的高压降的低压系统。这些二极管在使能和正向偏置时调节IN和OUT引脚之间的电压，从而导致正向电压降。当OUT电压高于IN电压时，NID5100理想二极管反向偏置，漏电流非常低。这些二极管是功率OR-ing二极管的低损耗替代品，可在OR-ed电源之间自动转换。NID5100理想二极管的工作电压范围为1.2V至5.5V，工作温度范围为-40°C至125°C。这些二极管采用标准TSSOP6 (SOT363-2) 封装，具有2.1mm x 1.25mm x 0.95mm封装体，与行业SC88/SC70-6封装兼容，可提供较小的PCB占位面积。典型应用包括楼宇自动化、 智能电表、 主电源与备用电池。

LM5060-Q1高侧保护控制器

Texas Instruments LM5060-Q1高侧保护控制器具有低静态电流，可在正常开/关转换和故障情况下智能控制高侧N沟道MOSFET。近乎恒定的输出电压上升时间源自对涌入电流的控制。提供输入UVLO（具有迟滞）和可编程输入OVP，使能输入提供远程开/关控制。可在单个电容器对初始启动VGS故障检测延迟时间、过渡VDS故障检测延迟时间和连续过流VDS故障检测延迟时间进行设定。MOSFET锁存关闭直到启用输入或UVLO输入处于低电平，但检测到的故障情况一直持续超过了允许的故障延迟时间时则切入高电平。

供货情况

库存：
0

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在途量:
1,871
预期 2026/9/4
生产周期：
12
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥3.0623 ¥3.06
¥2.0566 ¥20.57
¥1.8193 ¥45.48
¥1.5594 ¥155.94
¥1.4238 ¥355.95
¥1.3447 ¥672.35
¥1.3108 ¥1,310.80
¥1.11644 ¥3,349.32

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