NSS20200DMTTBG

onsemi
863-NSS20200DMTTBG
NSS20200DMTTBG

制造商：

说明：
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR

数据表:
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产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
WDFN6
Dual
20 V
20 V
250 mV
NSS20200DM
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
直流集电极/Base Gain hfe Min: 220
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
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已选择的属性: 0

合规代码
USHTS:
8541210095
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
马来西亚
组装原产国/地区:
马来西亚
扩散国家:
马来西亚
发货时，国家/地区可能会发生变化。

e2PowerEdge低VCE（sat）晶体管

安森美 (onsemi) e2PowerEdge低VCE(sat)晶体管是微型表面贴装器件，具有超低饱和电压（VCE(sat)）和大电流增益能力。这些器件设计用于经济高效的能量控制至关重要的低电压、高速开关应用。典型应用包括便携式和电池供电产品中的直流-直流转换器和电源管理，如蜂窝和无绳电话、PDA、计算机、打印机、数码相机和MP3播放器。其他应用包括大容量存储产品中的低压电机控制，如光盘和磁带驱动器。这些器件可用于汽车行业的安全气囊部署和仪表板。大电流增益使得安森美（onsemi）e2PowerEdge器件可直接由PMU的控制输出驱动，线性增益（Beta）使其成为模拟放大器的理想元件。

库存量: 2,980

库存：
2,980 可立即发货
生产周期：
29 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥8.9383 ¥8.94
¥5.6048 ¥56.05
¥3.6612 ¥366.12
¥2.825 ¥1,412.50
¥2.5538 ¥2,553.80
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥2.0792 ¥6,237.60
¥1.921 ¥11,526.00
¥1.7967 ¥43,120.80

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