NSS40301MDR2G

Name: onsemi NSS40301MDR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NSS40301MDR2G
Price: 9.88 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

863-NSS40301MDR2G

制造商编号：

NSS40301MDR2G

制造商：

onsemi

说明：

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) MATCHED LO VCE(SAT) SOIC8

数据表:

NSS40301MDR2G 数据表

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解onsemi NSS40301MDR2G详情

库存量: 14,347

库存：: 14,347 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 38 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥11.1644	¥11.16
	¥7.0399	¥70.40
	¥4.6556	¥465.56
	¥3.6386	¥1,819.30
	¥3.3109	¥3,310.90
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥2.9493	¥7,373.25

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOIC-8
晶体管极性:	NPN
配置:	Dual
最大直流电集电极电流:	3 A
集电极—发射极最大电压 VCEO:	40 V
集电极—基极电压 VCBO:	40 V
发射极 - 基极电压 VEBO:	6 V
集电极—射极饱和电压:	82 mV
Pd-功率耗散:	783 mW
增益带宽产品fT:	100 MHz
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
系列:	NSS40301MD
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	onsemi
直流集电极/Base Gain hfe Min:	200 at 10 mA, 2 V, 200 at 500 mA, 2 V, 180 at 1 A, 2 V, 180 at 2 A, 2 V
直流电流增益 hFE 最大值:	200 at 10 mA, 2 V
产品类型:	BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
单位重量:	143 mg

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

NSS40301MDR2G 数据表

PCN

SPICE Models

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 85423999
ECCN:: EAR99

e2PowerEdge低VCE（sat）晶体管

安森美 (onsemi) e2PowerEdge低V_CE(sat)晶体管是微型表面贴装器件，具有超低饱和电压（V_CE(sat)）和大电流增益能力。这些器件设计用于经济高效的能量控制至关重要的低电压、高速开关应用。典型应用包括便携式和电池供电产品中的直流-直流转换器和电源管理，如蜂窝和无绳电话、PDA、计算机、打印机、数码相机和MP3播放器。其他应用包括大容量存储产品中的低压电机控制，如光盘和磁带驱动器。这些器件可用于汽车行业的安全气囊部署和仪表板。大电流增益使得安森美（onsemi）e2PowerEdge器件可直接由PMU的控制输出驱动，线性增益（Beta）使其成为模拟放大器的理想元件。