PBZTBR110B

Name: ROHM Semiconductor PBZTBR110B
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-PBZTBR110B
Price: 6.22 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

755-PBZTBR110B

制造商编号：

PBZTBR110B

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

稳压二极管 1000mW, 7V, DO-214AA(SMB), Zener Diode

寿命周期:

新产品:

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数据表:

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数量	单价	总价
	¥7.0286	¥7.03
	¥4.3053	¥43.05
	¥2.8363	¥283.63
	¥2.2261	¥1,113.05
	¥1.8984	¥1,898.40
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥1.5029	¥4,508.70
	¥1.4351	¥8,610.60

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	稳压二极管
RoHS:
Vz - 齐纳电压:	10 V
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DO-214AA-2
Pd-功率耗散:	1 W
Ir - 最大反向漏电流:	40 uA
最大工作温度:	+ 150 C
配置:	Single
测试电流:	40 mA
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	ROHM Semiconductor
高度:	3.94 mm
Ir - 反向电流 :	10 uA
长度:	4.7 mm
产品类型:	Zener Diodes
工厂包装数量:	3000
子类别:	Diodes & Rectifiers
宽度:	2.45 mm
齐纳电流:	10 uA

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数据表

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CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100050
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

PBZTBR1x齐纳二极管

ROHM Semiconductor PBZTBR1x齐纳二极管具有高可靠性和小功率模制类型，采用硅外延平面结构。这些齐纳二极管的功耗为1000mW，结温为150°C。PBZTBR1x齐纳二极管的储存温度范围为-55°C至150°C。这些齐纳二极管采用DO-214AA（SMB）封装。PBZTBR1x齐纳二极管用于稳压应用。