PJL9480_R2_00001 MOSFET

结果: 2
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
Panjit MOSFET 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 150 V 4 A 85 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 29.5 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel
Panjit MOSFET SOP8 150V 4A N-CH
数据表
N/A

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 150 V 4 A 85 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 29.5 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement