PJP100N06SA-AU_T0_006A1

Name: Panjit PJP100N06SA-AU_T0_006A1
Brand: Panjit
SKU: 241-PJP100N06SAAU6A1
Price: 14.27 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

241-PJP100N06SAAU6A1

制造商编号：

PJP100N06SA-AU_T0_006A1

制造商：

Panjit

说明：

MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 60 V, 95 A

数据表:

PJP100N06SA-AU_T0_006A1 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Panjit PJP100N06SA-AU_T0_006A1详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Panjit
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220AB-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	95 A
Rds On-漏源导通电阻:	6.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	40 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	100 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
封装:	Tube
商标:	Panjit
配置:	Single
下降时间:	59 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	35 ns
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	29 ns
典型接通延迟时间:	9 ns
单位重量:	2.095 g

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

PJP100N06SA-AU_T0_006A1 数据表 (PDF)

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

60V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs offer low reverse transfer capacitance in an AEC-Q101-qualified DFN5060-8L package. Operating within a -55°C to +150°C junction temperature range, these MOSFETs provide a maximum power dissipation range from 20W to 50W and single pulse avalanche ratings (28A current, 39mJ energy). Applications include automotive LED lighting, wireless chargers, and DC/DC converters.