PJP75N06SA-AU_T0_006A1

Name: Panjit PJP75N06SA-AU_T0_006A1
Brand: Panjit
SKU: 241-PJP75N06SAAU06A1
Price: 12.59 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

241-PJP75N06SAAU06A1

制造商编号：

PJP75N06SA-AU_T0_006A1

制造商：

Panjit

说明：

MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 60 V, 64 A

数据表:

PJP75N06SA-AU_T0_006A1 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Panjit
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220AB-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	64 A
Rds On-漏源导通电阻:	9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	27 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	75 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
封装:	Tube
商标:	Panjit
配置:	Single
下降时间:	50 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	28 ns
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	22 ns
典型接通延迟时间:	7.8 ns
单位重量:	2.095 g

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数据表

PJP75N06SA-AU_T0_006A1 数据表 (PDF)

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

60V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs offer low reverse transfer capacitance in an AEC-Q101-qualified DFN5060-8L package. Operating within a -55°C to +150°C junction temperature range, these MOSFETs provide a maximum power dissipation range from 20W to 50W and single pulse avalanche ratings (28A current, 39mJ energy). Applications include automotive LED lighting, wireless chargers, and DC/DC converters.