PJQ5526_R2_00201

Name: Panjit PJQ5526_R2_00201
Brand: Panjit
SKU: 241-PJQ5526_R2_00201
Price: 8.2 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

241-PJQ5526_R2_00201

制造商编号：

PJQ5526_R2_00201

制造商：

Panjit

说明：

MOSFET 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

数据表:

PJQ5526_R2_00201 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Panjit
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFN-5060X-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	68 A
Rds On-漏源导通电阻:	4.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	15 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	35.7 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Panjit
配置:	Single
下降时间:	23 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	8 ns
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	24 ns
典型接通延迟时间:	13 ns
零件号别名:	PJQ5526
单位重量:	80 mg

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数据表

PJQ5526_R2_00201 数据表 (PDF)

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed with logic level gate drive in a DFN5060X-8L and DFN3333-8L packages. These MOSFETs feature low on−resistance (RDS_(on)), excellent Figure Of Merit (FOM), and ±20 gate-source voltage. The PJQx 30V N-Channel MOSFETs are AEC-Q101 qualified and are lead-free in compliance with EU RoHS 2.0 standards. These MOSFETs are ideal for automotive applications.

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¥-.--

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¥-.--

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数量	单价	总价
	¥9.266	¥9.27
	¥5.7969	¥57.97
	¥3.7968	¥379.68
	¥2.9267	¥1,463.35
	¥2.6555	¥2,655.50
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥2.2939	¥6,881.70
	¥2.1131	¥12,678.60
	¥2.0227	¥18,204.30

PJQ5526_R2_00201

制造商： Panjit

说明： MOSFET 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

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