PMH550UNEH

Name: Nexperia PMH550UNEH
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMH550UNEH
Price: 2.56 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

771-PMH550UNEH

制造商编号：

PMH550UNEH

制造商：

Nexperia

说明：

MOSFET SOT8001 N-CH 30V .77A

数据表:

PMH550UNEH 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Nexperia PMH550UNEH详情

供货情况

库存：: 0

您可以延期订购此产品。

出现意外错误。请稍候重试。
在途量:: 9,900

预期 2027/2/8
生产周期：: 12

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按10000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥2.8928	¥2.89
	¥2.0114	¥20.11
	¥1.2769	¥63.85
	¥0.77744	¥777.44
	¥0.59551	¥1,488.78
	¥0.53788	¥2,689.40
整卷卷轴（请按10000的倍数订购）
	¥0.53788	¥5,378.80

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Nexperia
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFN-0606-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	770 mA
Rds On-漏源导通电阻:	670 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 8 V, 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	450 mV
Qg-栅极电荷:	400 pC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	710 mW
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Nexperia
配置:	Single
下降时间:	2 ns
正向跨导 - 最小值:	2.2 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	2 ns
工厂包装数量:	10000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	4 ns
典型接通延迟时间:	1 ns
零件号别名:	934660491125
单位重量:	0.456 mg

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

DFN0606沟槽式MOSFET

Nexperia DFN0606沟槽式MOSFET设计用于利用沟槽式MOSFET技术提供低阈值电压和非常快的开关速度。这些Nexperia MOSFET具有静电放电（ESD）保护功能，采用A 无引线超小型DFN0606-3（SOT8001）表面贴装（SMD）塑料封装。典型应用包括手机、可穿戴和便携式设备、手机配件、耳机、耳机和助听器。