PSMN3R9-100YSFX

Name: Nexperia PSMN3R9-100YSFX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN3R9-100YSFX
Price: 27.01 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

771-PSMN3R9-100YSFX

制造商编号：

PSMN3R9-100YSFX

制造商：

Nexperia

说明：

MOSFET SOT1023 100V 120A N-CH

数据表:

PSMN3R9-100YSFX 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Nexperia PSMN3R9-100YSFX详情

库存量: 45

库存：: 45

可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
在途量:: 3,000

预期 2026/2/23
生产周期：: 13

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按1500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥30.5213	¥30.52
	¥20.0123	¥200.12
	¥18.0348	¥901.74
	¥14.0572	¥1,405.72
	¥12.4074	¥6,203.70
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
	¥10.17	¥15,255.00
	¥10.0118	¥30,035.40

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Nexperia
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOT-1023-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	120 A
Rds On-漏源导通电阻:	4.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	79 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	245 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Nexperia
配置:	Single
下降时间:	23 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	18 ns
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	45 ns
典型接通延迟时间:	22 ns
零件号别名:	934660621115
单位重量:	93.270 mg

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

PSMN3R9-100YSFX 数据表 (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NextPower 80/100V MOSFET

Nexperia NextPower 80/100V MOSFET建议用于高效率开关和高可靠性应用。NextPower MOSFET的R_DS(on) 降低了50%，具有强大的雪崩能量等级。这些器件非常适用于电源、电信、工业设计、USB-PD Type-C充电器和适配器，以及48V直流-直流适配器。该器件具有低体二极管损耗，Q_rr 低至50纳库仑（nC）。这样可实现较低的反向恢复电流（I_RR）、较低的电压尖峰（V_peak）和较低的振铃，从而进一步优化死区时间。