R8001CND3FRATL

Name: ROHM Semiconductor R8001CND3FRATL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-R8001CND3FRATL
Price: 24.81 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

755-R8001CND3FRATL

制造商编号：

R8001CND3FRATL

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET Transistor MOSFET, Nch 800V 1A 1st Gen, for Auto w/ESD Protect

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-252-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	800 V
Id-连续漏极电流:	1 A
Rds On-漏源导通电阻:	8.7 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:	30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5.5 V
Qg-栅极电荷:	7.2 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	36 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	137 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	21 ns
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	33 ns
典型接通延迟时间:	20 ns
零件号别名:	R8001CND3FRA
单位重量:	330 mg

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ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

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Specification Sheets

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 泰国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

R800xxND3FRA N沟道车用功率MOSFET

ROHM Semiconductor R800xxND3FRA N沟道车用功率MOSFET是低导通电阻MOSFET，设有简单驱动电路。这些MOSFET具有快速开关速度和无铅电镀，符合AEC-Q101标准。R800xxND3FRA MOSFET采用DPAK (TO-252) 封装。 ROHM Semiconductor R800xxND3FRA MOSFET适合用于开关电源。

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输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥28.0353	¥28.04
	¥16.3737	¥163.74
	¥12.8255	¥1,282.55
	¥10.509	¥5,254.50
	¥10.0118	¥10,011.80
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥9.266	¥23,165.00

R8001CND3FRATL

制造商： ROHM Semiconductor

说明： MOSFET Transistor MOSFET, Nch 800V 1A 1st Gen, for Auto w/ESD Protect

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