RD3G07BBGTL1

Name: ROHM Semiconductor RD3G07BBGTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3G07BBGTL1
Price: 27.96 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

755-RD3G07BBGTL1

制造商编号：

RD3G07BBGTL1

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)

数据表:

RD3G07BBGTL1 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-252-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	150 A
Rds On-漏源导通电阻:	2.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	56 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	89 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	62 ns
正向跨导 - 最小值:	27 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	21 ns
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	90 ns
典型接通延迟时间:	22 ns

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数据表

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Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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库存量: 839

库存：: 839 可立即发货

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生产周期：: 18 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥31.5948	¥31.59
	¥15.9669	¥159.67
	¥14.4753	¥1,447.53
	¥11.8311	¥5,915.55
	¥11.7407	¥11,740.70
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥11.0853	¥27,713.25

RD3G07BBGTL1

制造商： ROHM Semiconductor

说明： MOSFET Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)

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