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RD3G08DBKHRBTL

Name: ROHM Semiconductor RD3G08DBKHRBTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3G08DBKHRBTL
Price: 19.91 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

755-RD3G08DBKHRBTL

制造商编号：

RD3G08DBKHRBTL

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET TO252 N-CH 40V 80A

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

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¥-.--

总价:

¥-.--

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数量	单价	总价
	¥22.4983	¥22.50
	¥14.5544	¥145.54
	¥10.4186	¥1,041.86
	¥8.6897	¥4,344.85
	¥8.4411	¥8,441.10
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥7.119	¥17,797.50
	¥7.0286	¥35,143.00

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	MOSFET
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-252-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	80 A
Rds On-漏源导通电阻:	4.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	28 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	76 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	15 ns
正向跨导 - 最小值:	12.1 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	18 ns
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	56 ns
典型接通延迟时间:	18 ns

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JPHTS:: 854129000
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

汽车用40A和80A功率MOSFET

ROHM Semiconductor汽车用40A和80A功率MOSFET是N沟道和P沟道器件。此系列MOSFET符合AEC-Q101标准，具有低导通电阻，脉冲漏极电流为 ±80A/±160A，功耗高达142W。40A和80A功率MOSFET的工作温度范围为-55°C至175°C，100%经雪崩测试。该系列功率MOSFET非常适合用于ADAS、汽车和照明应用。

AEC-Q101 Automotive MOSFETs

ROHM Semiconductor AEC-Q101 Automotive MOSFETs provide wide drive type and support from a small signal to high power. These ROHM Semiconductor MOSFETs are available in a wide range of microminiature packages and help reduce the board space. The AEC-Q101 MOSFETs are automotive-supported products and are based on standard AEC-Q101. These MOSFETs offer high-speed switching and low on-resistance. The AEC-Q101 MOSFETs are available in single and dual polarities and provide a drain-source voltage ranging from -100V_DSS to 100V_DSS. These MOSFETs offer a drain-current ranging from -25A to 40A and R_DS(on) ranging from 0.004Ω to 3Ω (typical). The AEC-Q101 MOSFETs provide a total gate charge of 2nC to 80nC.

N沟道SiC功率MOSFET

ROHM SemiconductorN沟道SiC（碳化硅）功率MOSFET在开关期间不会产生尾电流，因此动作更快，开关损耗更低。它们的低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。这些ROHM SiC Power MOSFET的导通电阻增加非常微弱，封装小型化更为出色。与标准硅器件相比，它们具有更出色的节能效果，在标准硅器件中，导通电阻随温度的升高可增加一倍以上。

Silicon Power MOSFETs

ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.

电动汽车 (EV) 解决方案

ROHM Semiconductor电动汽车 (EV) 解决方案旨在提高先进电动汽车的效率和性能。ROHM提供针对各种解决方案的优化产品，重点是EV专用单元，如主逆变器、DC-DC转换器、车载充电器和电动压缩机。

汽车器件

ROHM汽车器件以其长期稳定的产品供应为汽车行业和下一代汽车的发展做出了卓越贡献。ROHM丰富的产品阵容支持不断增加的计算能力和连接。RoHM注重安全性、舒适度和生态，同时针对客户的需求提供最佳解决方案。

RD3x汽车N沟道功率MOSFET

ROHM Semiconductor RD3x汽车N沟道功率MOSFET是一款高性能开关和整流器设备，用于广泛的电源和信号应用。符合AEC-Q101标准的ROHM RD3x组件具有正向电压低、恢复时间快、浪涌电流能力高等特点，使MOSFET成为紧凑型电子系统中高效电源转换和保护的理想选择。RD3系列具有针对汽车、工业和消费类电子产品定制的选项，支持DC-DC转换器、电机驱动器、LED灯和电池供电设备等应用。紧凑型表面贴装（TO-252-3）封装和低漏电流有助于节省空间和实现节能设计，而高可靠性则可确保在苛刻条件下具有稳定性能。