RGPR30BM43HRTL

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Mouser编号：

755-RGPR30BM43HRTL

制造商编号：

RGPR30BM43HRTL

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) 430V 30A Ignition IGBT

寿命周期:

新产品:

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数据表:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-252-3
安装风格:	SMD/SMT
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	460 V
集电极—射极饱和电压:	1.6 V
栅极/发射极最大电压:	10 V
在25 C的连续集电极电流:	30 A
Pd-功率耗散:	125 W
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 175 C
资格:	AEC-Q101
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流:	600 uA
产品类型:	IGBTs
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors

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Specification Sheets

合规代码

ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 泰国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Automotive Ignition IGBTs

ROHM Semiconductor Automotive Ignition IGBTs with low collector-emitter saturation voltage are suitable for the ignition coil and solenoid driver circuits. The IGBT transistors feature high self-clamped inductive switching energy, built-in gate-emitter protection diode, and built-in gate-emitter resistance. These IGBT transistors operate at -40ºC to 175ºC and -55ºC to 175ºC storage temperature. The devices are housed in 3-pin TO-252 and TO263S packages and are a highly reliable product for automotive.