RGSX5TS65EGC11

ROHM Semiconductor
755-RGSX5TS65EGC11
RGSX5TS65EGC11

制造商：

说明：
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT

寿命周期:
NRND:
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数据表:
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库存量: 438

库存：
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生产周期：
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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥44.4994 ¥44.50
¥39.211 ¥392.11

产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
TO-247N-3
Through Hole
Single
650 V
2.15 V
30 V
114 A
404 W
- 40 C
+ 175 C
Tube
商标: ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流: 200 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 450
子类别: IGBTs
零件号别名: RGSX5TS65E
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

Specification Sheets

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

RGSX5TS65 650V 75A场终止沟槽型IGBT

ROHM Semiconductor RGSX5TS65 650V 75A场终止沟槽型IGBT具有低集电极-发射极饱和电压。RGSX5TS65的短路耐受时间为8μs。它符合AEC-Q101标准，采用无铅电镀。

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