RH7G04BBJFRATCB

ROHM Semiconductor
755-RH7G04BBJFRATCB
RH7G04BBJFRATCB

制造商：

说明：
MOSFET DFN3333 P-CH 40V 40A

寿命周期:
新产品:
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数据表:
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库存量: 2,400

库存：
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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥19.3569 ¥19.36
¥12.4074 ¥124.07
¥8.5993 ¥859.93
¥7.2433 ¥3,621.65
¥6.441 ¥6,441.00
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥5.4918 ¥16,475.40
¥5.424 ¥32,544.00
¥5.3675 ¥48,307.50

产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
Si
SMD/SMT
DFN-8
P-Channel
1 Channel
40 V
40 A
11.9 mOhms
- 20 V, 5 V
2.5 V
25 nC
- 55 C
+ 175 C
75 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
商标: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降时间: 97 ns
正向跨导 - 最小值: 14 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 24 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 175 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
找到的产品:
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要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

汽车用40A和80A功率MOSFET

ROHM Semiconductor汽车用40A和80A功率MOSFET是N沟道和P沟道器件。 此系列MOSFET符合AEC-Q101标准，具有低导通电阻，脉冲漏极电流为 ±80A/±160A，功耗高达142W。40A和80A功率MOSFET的工作温度范围为-55°C至175°C，100%经雪崩测试。该系列功率MOSFET非常适合用于ADAS、汽车和照明应用。

电动汽车 (EV) 解决方案

ROHM Semiconductor电动汽车 (EV) 解决方案旨在提高先进电动汽车的效率和性能。ROHM提供针对各种解决方案的优化产品，重点是EV专用单元，如主逆变器、DC-DC转换器、车载充电器和电动压缩机。

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