RQ3L070BGTB1

ROHM Semiconductor
755-RQ3L070BGTB1
RQ3L070BGTB1

制造商：

说明：
MOSFET HSMT8 N-CH 60V 20A

数据表:
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产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
HSMT-8G
N-Channel
1 Channel
60 V
20 A
24.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
7.6 nC
- 55 C
+ 150 C
15 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降时间: 4.4 ns
正向跨导 - 最小值: 2.5 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 5.6 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 21 ns
典型接通延迟时间: 8.7 ns
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已选择的属性: 0

数据表

Specification Sheets

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合规代码
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
日本
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

Hall Effect ICs

ROHM Semiconductor Hall Effect ICs include unipolar detection, omnipolar detection, bipolar detection, and omnipolar with polarity detection ICs. These ICs feature a low average current of 3.5µA and fully-integrated CMOS logic output circuitry. The integrated dynamic offset cancellation provides high sensitivity, allowing for less precise placement of the permanent magnet. The product is rated at 8kV ESD withstand and rated for -40°C to +85°C operation. The Hall ICs are ideal for a wide range of portable consumer electronics applications including mobile phones, digital cameras, and computers.

电动汽车 (EV) 解决方案

ROHM Semiconductor电动汽车 (EV) 解决方案旨在提高先进电动汽车的效率和性能。ROHM提供针对各种解决方案的优化产品，重点是EV专用单元，如主逆变器、DC-DC转换器、车载充电器和电动压缩机。

库存量: 4,218

库存：
4,218 可立即发货
生产周期：
22 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥15.9669 ¥15.97
¥6.1811 ¥61.81
¥5.5031 ¥550.31
¥4.3166 ¥2,158.30
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥3.9324 ¥11,797.20
¥3.4126 ¥20,475.60
¥3.3222 ¥29,899.80

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