SBC846BPDW1T3G

Name: onsemi SBC846BPDW1T3G
Brand: onsemi
SKU: 863-SBC846BPDW1T3G
Price: 2.56 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-SBC846BPDW1T3G

制造商编号：

SBC846BPDW1T3G

制造商：

onsemi

说明：

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN PNP Bipolar Transistor

寿命周期:

新产品:

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数据表:

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¥-.--

总价:

¥-.--

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数量	单价	总价
	¥2.8928	¥2.89
	¥1.9549	¥19.55
	¥1.243	¥124.30
	¥0.76953	¥384.77
	¥0.57065	¥570.65
	¥0.50511	¥1,262.78
	¥0.43844	¥2,192.20
整卷卷轴（请按10000的倍数订购）
	¥0.37177	¥3,717.70
	¥0.339	¥6,780.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOT-363-6
晶体管极性:	NPN, PNP
配置:	Dual
最大直流电集电极电流:	100 mA
集电极—发射极最大电压 VCEO:	65 V
集电极—基极电压 VCBO:	80 V
发射极 - 基极电压 VEBO:	6 V
Pd-功率耗散:	380 mW
增益带宽产品fT:	100 MHz
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
系列:	BC846BPDW1
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
集电极连续电流:	100 mA, - 100 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min:	200
直流电流增益 hFE 最大值:	800
产品类型:	BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量:	10000
子类别:	Transistors

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数据表

SBC846BPDW1T3G 数据表

Material Composition Disclosure

CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

BC846BPDW1双极晶体管

安森美BC846BPDW1双极晶体管是双通道通用晶体管，设计用于低功耗表面贴装应用。这些NPN/PNP晶体管采用SOT-363/SC-88封装。BC846BPDW1双极晶体管符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能，采用无铅封装。这些NPN/PNP晶体管不含卤素/无BFR，符合RoHS指令。双极晶体管非常适合用于低功耗表面贴装应用。