SCT4036DEC11

ROHM Semiconductor
755-SCT4036DEC11
SCT4036DEC11

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 42A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET

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库存量: 450

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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥110.6722 ¥110.67
¥67.1672 ¥671.67
¥57.6526 ¥5,765.26
¥55.5847 ¥25,013.12

产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: 碳化硅MOSFET
Through Hole
TO-247N-3
N-Channel
1 Channel
750 V
42 A
47 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
72 nC
+ 175 C
136 W
Enhancement
商标: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降时间: 11 ns
正向跨导 - 最小值: 10 S
封装: Tube
产品: Power MOSFETs
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 22 ns
工厂包装数量: 450
子类别: Transistors
技术: SiC
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: SiC Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 28 ns
典型接通延迟时间: 13 ns
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已选择的属性: 0

数据表

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USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

750V N沟道SiC MOSFET

ROHM Semiconductor 750V N通道SiC MOSFET可提升开关频率，因此减少所需的电容器、电抗器以及其他组件的数量。这些SiC MOSFET采用TO-247N、TOLL、TO-263-7L、TO-263-7LA和TO-247-4L封装。此系列器件的静态漏源导通电阻（RDS(on)）额定值为13mΩ至65mΩ（典型值），连续漏极电流（ID）和源极电流（IS）范围为22A至120A（TC=25°C时）。这些ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFET具有高耐压、低导通电阻和高速开关特性，充分利用了SiC技术的独特优势。

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