SI4151DY-T1-GE3

Name: Vishay SI4151DY-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SI4151DY-T1-GE3
Price: 14.93 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

78-SI4151DY-T1-GE3

制造商编号：

SI4151DY-T1-GE3

制造商：

Vishay Semiconductors

说明：

MOSFET SO8 P-CH 30V 15.2A

数据表:

SI4151DY-T1-GE3 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SO-8
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	20.5 A
Rds On-漏源导通电阻:	7.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 25 V, 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	28 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	5.6 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Vishay Semiconductors
配置:	Single
下降时间:	20 ns
正向跨导 - 最小值:	37 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	67 ns
系列:	Si4151DY
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	30 ns
典型接通延迟时间:	26 ns

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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库存量: 4,417

库存：: 4,417

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在途量:: 5,000

预期 2026/9/17
生产周期：: 6

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1 最多： 5000

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥16.8709	¥16.87
	¥8.1134	¥81.13
	¥7.2546	¥725.46
	¥5.7517	¥2,875.85
	¥5.6161	¥5,616.10
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥5.0285	¥12,571.25
	¥4.7347	¥23,673.50

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

SI4151DY-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductors

说明： MOSFET SO8 P-CH 30V 15.2A

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