SI7370ADP-T1-GE3

Name: Vishay SI7370ADP-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 781-SI7370ADP-GE3
Price: 7.39 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

781-SI7370ADP-GE3

制造商编号：

SI7370ADP-T1-GE3

制造商：

Vishay / Siliconix

说明：

MOSFET 60V 15.8A 5.2W 10mohm @ 10V

数据表:

SI7370ADP-T1-GE3 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerPAK-1212-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	50 A
Rds On-漏源导通电阻:	57 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	8.4 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	69.4 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	TrenchFET
封装:	Reel
商标:	Vishay / Siliconix
配置:	Single
下降时间:	20 ns
正向跨导 - 最小值:	12 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	9 ns
系列:	SI7
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N Channel
典型关闭延迟时间:	40 ns
典型接通延迟时间:	20 ns
零件号别名:	SI7370ADP-GE3
单位重量:	540 mg

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数据表

SI7370ADP-T1-GE3 数据表 (PDF)

REACH Certificate (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 新加坡
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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