SI7812DN-T1-GE3

Name: Vishay SI7812DN-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SI7812DN-T1-GE3
Price: 22.03 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

781-SI7812DN-T1-GE3

制造商编号：

SI7812DN-T1-GE3

制造商：

Vishay Semiconductors

说明：

MOSFET 75V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

数据表:

SI7812DN-T1-GE3 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerPAK-1212-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	75 V
Id-连续漏极电流:	16 A
Rds On-漏源导通电阻:	37 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	16 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	52 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	TrenchFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Vishay Semiconductors
配置:	Single
下降时间:	50 ns
正向跨导 - 最小值:	23 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	130 ns
系列:	SI7
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N Channel
典型关闭延迟时间:	35 ns
典型接通延迟时间:	20 ns
零件号别名:	SI7812DN-GE3
单位重量:	1 g

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Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

SI78 N沟道（D-S）MOSFET

Vishay Semiconductors SI78 N沟道 (DS) MOSFET采用新的低热阻PowerPAK^®封装，采用1.07mm薄型设计。这些N沟道 (DS) MOSFET经过PWM优化、100% R_g测试、无卤素且符合 RoHS 标准。SI78 MOSFET用于DC/DC转换器、DC/DC应用的初级侧开关和同步整流器。

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库存量: 43,883

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最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥24.8939	¥24.89
	¥16.1251	¥161.25
	¥11.0853	¥1,108.53
	¥8.9383	¥4,469.15
	¥8.5202	¥8,520.20
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥7.9326	¥23,797.80

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

SI7812DN-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductors

说明： MOSFET 75V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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