SI7846DP-T1-GE3

Name: Vishay SI7846DP-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 781-SI7846DP-GE3
Price: 27.96 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

781-SI7846DP-GE3

制造商编号：

SI7846DP-T1-GE3

制造商：

Vishay / Siliconix

说明：

MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

数据表:

SI7846DP-T1-GE3 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerPAK-SO-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	150 V
Id-连续漏极电流:	24.5 A
Rds On-漏源导通电阻:	50 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.5 V
Qg-栅极电荷:	30 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	1.9 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	TrenchFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Vishay / Siliconix
配置:	Single
下降时间:	10 ns
正向跨导 - 最小值:	18 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	7 ns
系列:	SI7
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N Channel
典型关闭延迟时间:	22 ns
典型接通延迟时间:	12 ns
零件号别名:	SI7846DP-GE3
单位重量:	506.600 mg

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已选择的属性: 0

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数据表

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Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 以色列
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

SI78 N沟道（D-S）MOSFET

Vishay Semiconductors SI78 N沟道 (DS) MOSFET采用新的低热阻PowerPAK^®封装，采用1.07mm薄型设计。这些N沟道 (DS) MOSFET经过PWM优化、100% R_g测试、无卤素且符合 RoHS 标准。SI78 MOSFET用于DC/DC转换器、DC/DC应用的初级侧开关和同步整流器。

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库存量: 5,939

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生产周期：: 4 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥31.5948	¥31.59
	¥20.679	¥206.79
	¥14.7239	¥1,472.39
	¥12.0797	¥6,039.85
	¥11.7407	¥11,740.70
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥10.9158	¥32,747.40

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

SI7846DP-T1-GE3

制造商： Vishay / Siliconix

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