SI7850ADP-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SI7850ADP-T1-GE3
SI7850ADP-T1-GE3

制造商:

说明:
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerPAK-SO-8
N-Channel
1 Channel
60 V
12 A
19.5 mOhms
20 V
2.8 V
11.1 nC
- 55 C
+ 150 C
35.7 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Vishay / Siliconix
配置: Single
下降时间: 10 ns
正向跨导 - 最小值: 39 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 21 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N Channel
典型关闭延迟时间: 10 ns
典型接通延迟时间: 7 ns
单位重量: 506.600 mg
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

工业电源解决方案

Vishay提供业界最广泛的半导体和无源元件产品组合,适用于工业电源应用。Vishay工业电源用产品组合包括功率MOSFET、功率IC、整流器、二极管、电容器、电阻器和电感器。

SI78 N沟道(D-S)MOSFET

Vishay Semiconductors SI78 N沟道 (DS) MOSFET采用新的低热阻PowerPAK®封装,采用1.07mm薄型设计。这些N沟道 (DS) MOSFET经过PWM优化、100% Rg测试、无卤素且符合 RoHS 标准。SI78 MOSFET用于DC/DC转换器、DC/DC应用的初级侧开关和同步整流器。

TrenchFET第四代MOSFET

Vishay / Siliconix TrenchFET®第四代MOSFET是新一代TrenchFET®系列功率MOSFET,采用PowerPAK® SO-8和1212-8S封装,并具有业内超低的导通电阻和低栅极总电荷。TrenchFET第四代MOSFET具有超低RDS(on)特性,因此进一步降低了导通损耗以及功耗。TrenchFET MOSFET还采用了节省空间的PowerPAK® 1212-8 封装,能以三分之一的尺寸实现相近的效率。典型应用包括大功率DC/DC转换器、同步整流器、太阳能微型逆变器以及电机驱动开关。

库存量: 4,489

库存:
4,489
可立即发货
在途量:
6,000
预期 2026/11/2
生产周期:
38
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥15.9669 ¥15.97
¥7.6388 ¥76.39
¥6.8252 ¥682.52
¥5.3901 ¥2,695.05
¥5.085 ¥5,085.00
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)
¥4.3392 ¥13,017.60
¥4.3166 ¥38,849.40
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩