您似乎禁用了您浏览器中的JavaScript功能。本网页上的某些功能需要登录后才能使用。

SI7892BDP-T1-GE3

Name: Vishay SI7892BDP-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 781-SI7892BDP-T1-GE3
Price: 26.28 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

781-SI7892BDP-T1-GE3

制造商编号：

SI7892BDP-T1-GE3

制造商：

Vishay / Siliconix

说明：

MOSFET 30V 25A 5.4W 4.2mohm @ 10V

数据表:

SI7892BDP-T1-GE3 数据表

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Vishay / Siliconix SI7892BDP-T1-GE3详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerPAK-SO-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	15 A
Rds On-漏源导通电阻:	4.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	27 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	1.8 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	TrenchFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Vishay / Siliconix
配置:	Single
下降时间:	20 ns
正向跨导 - 最小值:	85 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	13 ns
系列:	SI7
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N Channel
典型关闭延迟时间:	62 ns
典型接通延迟时间:	20 ns
零件号别名:	SI7892BDP-GE3
单位重量:	506.600 mg

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

SI7892BDP-T1-GE3 数据表

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

SI78 N沟道（D-S）MOSFET

Vishay Semiconductors SI78 N沟道 (DS) MOSFET采用新的低热阻PowerPAK^®封装，采用1.07mm薄型设计。这些N沟道 (DS) MOSFET经过PWM优化、100% R_g测试、无卤素且符合 RoHS 标准。SI78 MOSFET用于DC/DC转换器、DC/DC应用的初级侧开关和同步整流器。

特色产品

VISHAY

SiJK5100E N 通道 MOSFET

TrenchFET^® 第五代功率MOSFET，具有100V漏源电压和536W最大功耗。

了解更多的信息

SiEH4800EW 80 V TrenchFET®第四代N沟道MOSFET

采用PowerPAK^® 8mmx8mm BWL封装，导通电阻为0.00115Ω。

了解更多的信息

SiJK140E N 沟道 40 V (D-S) MOSFET

采用TrenchFET^® 第五代功率技术，非常适用于同步整流和自动化。

了解更多的信息

采用PowerPAK® 10x12封装的超结MOSFET

具备先进技术，可优化效率并尽可能降低导通过程中的功率损耗。

了解更多的信息

SiRS5700DP N 沟道 150 V (D-S) MOSFET

TrenchFET®第五代功率MOSFET，具有非常低的R_{DS x}Q_g 品质因数（FOM）。

了解更多的信息

库存量: 2,691

库存：: 2,691 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥29.6964	¥29.70
	¥19.2778	¥192.78
	¥13.3227	¥1,332.27
	¥11.6616	¥5,830.80
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥11.5825	¥34,747.50

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

SI7892BDP-T1-GE3

制造商： Vishay / Siliconix

说明： MOSFET 30V 25A 5.4W 4.2mohm @ 10V

规格

文件 (11)

数据表

Models

Technical Resources

环境文件

产品与贸易合规

更多信息

SI78 N沟道（D-S）MOSFET

客户还购买了

特色产品 VISHAY

库存量: 2,691

定价 (含13% 增值税)

快速查看

出现意外错误。

制造商：

Vishay / Siliconix

说明：

MOSFET 30V 25A 5.4W 4.2mohm @ 10V

特色产品

VISHAY