SIJH5100E-T1-GE3

Name: Vishay SIJH5100E-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIJH5100E-T1-GE3
Price: 53.8 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

78-SIJH5100E-T1-GE3

制造商编号：

SIJH5100E-T1-GE3

制造商：

Vishay / Siliconix

说明：

MOSFET PWRPK 100V N-CH MOSFET

数据表:

SIJH5100E-T1-GE3 数据表

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制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerPAK-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	277 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.89 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	85 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	333 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Vishay / Siliconix
配置:	Single
下降时间:	21 ns
正向跨导 - 最小值:	120 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	17 ns
工厂包装数量:	2000
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	41 ns
典型接通延迟时间:	24 ns

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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库存量: 1,202

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预期 2027/2/11
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输入数量：

最少： 1 倍数： 1 最多： 2000

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

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数量	单价	总价
	¥60.794	¥60.79
	¥32.5892	¥325.89
	¥29.8659	¥2,986.59
	¥28.3743	¥14,187.15
	¥26.8827	¥26,882.70
整卷卷轴（请按2000的倍数订购）
	¥26.8827	¥53,765.40

SIJH5100E-T1-GE3

制造商： Vishay / Siliconix

说明： MOSFET PWRPK 100V N-CH MOSFET

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