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SIR692DP-T1-RE3

Name: Vishay SIR692DP-T1-RE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIR692DP-T1-RE3
Price: 18.45 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

78-SIR692DP-T1-RE3

制造商编号：

SIR692DP-T1-RE3

制造商：

Vishay / Siliconix

说明：

MOSFET 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

数据表:

SIR692DP-T1-RE3 数据表

ECAD模型:

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生产周期：: 6

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¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥20.8485	¥20.85
	¥13.4809	¥134.81
	¥9.1869	¥918.69
	¥7.3563	¥3,678.15
	¥7.1868	¥7,186.80
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥6.0342	¥18,102.60
	¥5.9664	¥35,798.40
	¥5.9551	¥53,595.90

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerPAK-SO-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	250 V
Id-连续漏极电流:	24.2 A
Rds On-漏源导通电阻:	52 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	40 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	104 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	TrenchFET, PowerPAK
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Vishay / Siliconix
配置:	Single
下降时间:	32 ns
正向跨导 - 最小值:	26 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	62 ns
系列:	SIR
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	14 ns
典型接通延迟时间:	13 ns
单位重量:	506.600 mg

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已选择的属性: 0

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数据表

SIR692DP-T1-RE3 数据表

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

工业电源解决方案

Vishay提供业界最广泛的半导体和无源元件产品组合，适用于工业电源应用。Vishay工业电源用产品组合包括功率MOSFET、功率IC、整流器、二极管、电容器、电阻器和电感器。

ThunderFET 150V至250V MOSFET

Vishay Siliconix ThunderFET^® 150V至250V MOSFET是N沟道极性型器件，V_ds 电压为150V、200V和250V。封装类型包括TO-252、PowerPAK SO-8、TO-263和TO-220AB。 SIR692DP 250V器件的品质因数 (FOM) 比前几代MOSFET低42%。 SIR692DP 在各种应用中降低了与功率损耗相关的传导，并提高了功率密度。 PowerPAK SO-8封装通过尽量降低封装电阻和寄生电感，实现了最佳的R_ds、Q_g和Qoss。 Q_oss 通过最大限度减小封装电阻和寄生电感。
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ThunderFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix ThunderFET® Power MOSFETs provide low values of on-resistance for 100V MOSFETs with 4.5V ratings. The lower on-resistance translates into lower conduction losses and reduced power consumption for energy-saving green solutions. Vishay / Siliconix ThunderFET Power MOSFETs are optimized for primary-side switching and secondary-side synchronous rectification in isolated DC/DC power supply designs for telecom brick and bus converter applications. The 4.5V rating for on-resistance allows a wide range of PWM and gate driver ICs to be considered.