SISF00DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SISF00DN-T1-GE3
SISF00DN-T1-GE3

制造商：

说明：
MOSFET 30V (S1-S2) Cmn Drn PowerPAK 1212-8SCD

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库存量: 15,084

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¥-.--
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封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥20.1818 ¥20.18
¥12.9837 ¥129.84
¥8.8479 ¥884.79
¥7.0286 ¥3,514.30
¥6.4636 ¥6,463.60
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥6.2602 ¥18,780.60
¥6.0342 ¥36,205.20
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8SCD-8
N-Channel
2 Channel
30 V
60 A
4.2 mOhms
- 16 V, 20 V
2.1 V
53 nC
- 55 C
+ 150 C
69.4 W
Enhancement
TrenchFET, PowerPAK
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Dual
下降时间: 10 ns
正向跨导 - 最小值: 130 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 32 ns
系列: SISF
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 2 N-Channel
典型关闭延迟时间: 22 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
单位重量: 488.500 mg
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

带共漏极的集成MOSFET

Vishay带共漏极的集成MOSFET是采用表面贴装的1、2和3通道器件。集成MOSFET具有N通道和N+P通道选项，以及20V至200V的击穿电压范围。增强型MOSFET具有6或8个引脚，功耗范围为1.5W至69.4W，漏源电阻为2.15mΩ至26mΩ。

集成MOSFET解决方案

Vishay集成MOSFET解决方案将各种元件集成到单一芯片中，可提高功率密度、提高效率、简化设计并降低物料清单 (BOM) 成本。这些单芯片和多芯片MOSFET集成了肖特基势垒二极管和ESD保护等特性。这些MOSFET采用低导通电阻N沟道和P沟道TrenchFET®技术，具有低热阻。

工业电源解决方案

Vishay提供业界最广泛的半导体和无源元件产品组合，适用于工业电源应用。Vishay工业电源用产品组合包括功率MOSFET、功率IC、整流器、二极管、电容器、电阻器和电感器。

TrenchFET第四代MOSFET

Vishay / Siliconix TrenchFET®第四代MOSFET是新一代TrenchFET®系列功率MOSFET，采用PowerPAK® SO-8和1212-8S封装，并具有业内超低的导通电阻和低栅极总电荷。TrenchFET第四代MOSFET具有超低RDS(on)特性，因此进一步降低了导通损耗以及功耗。TrenchFET MOSFET还采用了节省空间的PowerPAK® 1212-8 封装，能以三分之一的尺寸实现相近的效率。典型应用包括大功率DC/DC转换器、同步整流器、太阳能微型逆变器以及电机驱动开关。

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