SISF02DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SISF02DN-T1-GE3
SISF02DN-T1-GE3

制造商：

说明：
MOSFET PPAK1212 2NCH 25V 30.5A

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解Vishay Semiconductors SISF02DN-T1-GE3详情

库存量: 2,971

库存：
2,971 可立即发货
生产周期：
9 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥18.6111 ¥18.61
¥11.9102 ¥119.10
¥8.0569 ¥805.69
¥6.4071 ¥3,203.55
¥5.876 ¥5,876.00
整卷弹药盒（请按3000的倍数订购）
¥5.3901 ¥16,170.30

产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8
N-Channel
1 Channel
30 V
40 A
2.15 mOhms
- 16 V, 20 V
1.1 V
51 nC
- 55 C
+ 150 C
52 W
Enhancement
PowerPAK
Ammo Pack
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 10 ns
正向跨导 - 最小值: 105 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 17 ns
系列: SISF
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 25 ns
典型接通延迟时间: 24 ns
单位重量: 1 g
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

集成MOSFET解决方案

Vishay集成MOSFET解决方案将各种元件集成到单一芯片中，可提高功率密度、提高效率、简化设计并降低物料清单 (BOM) 成本。这些单芯片和多芯片MOSFET集成了肖特基势垒二极管和ESD保护等特性。这些MOSFET采用低导通电阻N沟道和P沟道TrenchFET®技术，具有低热阻。

带共漏极的集成MOSFET

Vishay带共漏极的集成MOSFET是采用表面贴装的1、2和3通道器件。集成MOSFET具有N通道和N+P通道选项，以及20V至200V的击穿电压范围。增强型MOSFET具有6或8个引脚，功耗范围为1.5W至69.4W，漏源电阻为2.15mΩ至26mΩ。

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。