SISS52DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SISS52DN-T1-GE3
SISS52DN-T1-GE3

制造商：

说明：
MOSFET PPAK1212 N-CH 30V 47.1A

数据表:
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Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
SISS
- 55 C
+ 150 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Vishay / Siliconix
通道模式: Enhancement
下降时间: 6 ns
Id-连续漏极电流: 162 A
安装风格: SMD/SMT
通道数量: 1 Channel
封装 / 箱体: PowerPAK1212-8S
Pd-功率耗散: 57 W
产品类型: MOSFETs
Qg-栅极电荷: 65 nC
Rds On-漏源导通电阻: 1.2 mOhms
上升时间: 6 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
技术: Si
商标名: TrenchFET
晶体管极性: N-Channel
晶体管类型: 1 N - Channel
典型关闭延迟时间: 26 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.2 V
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合规代码
CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

SiSS52DN和SiSS54DN N沟道TrenchFET® Gen V功率MOSFET

Vishay / Siliconix SiSS52DN和SiSS54DN N沟道TrenchFET Gen V功率MOSFET具有非常低的RDS(on)，可实现更高功率密度。这款功率MOSFET具有30V VDS 和非常低的RDS x Qg 品质因数 (FOM)。SiSS52DN N沟道MOSFET通常具有162A ID 和19.9nC Qg。而SiSS54DN N 沟道MOSFET通常具有185.6A ID 和21nC Qg 。这款经过100% Rg 和无钳位电感开关 (UIS) 测试的MOSFET采用具有一个配置的紧凑型热增强PowerPAK® 1212-8S封装。典型应用包括直流/直流转换器、负载点 (POL)、同步整流、电源和负载开关以及电池管理。

TrenchFET®第五代功率MOSFET，带VDS

Vishay/Siliconix TrenchFET® 第五代功率MOSFET具有非常低的RDS x Qg 品质因数（FOM），可提高功率转换效率。该第五代功率MOSFET具有80V、100V和150V漏源击穿电压选项。第五代功率MOSFET采用PowerPAK® 1212-8SH或PowerPAK SO-8单封装。

供货情况

库存：
0

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在途量:
3,000
预期 2026/8/14
9,000
3,000
预期 2027/6/3
6,000
待定
生产周期：
37
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1   最多： 6000
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥16.1251 ¥16.13
¥10.17 ¥101.70
¥6.667 ¥666.70
¥5.2884 ¥2,644.20
¥4.7121 ¥4,712.10
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥4.0567 ¥12,170.10
¥3.9889 ¥23,933.40
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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